SCT3022ALHRC11
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | SCT3022ALHRC11 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 650V 93A TO247N |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $73.60 |
10+ | $69.916 |
100+ | $63.0168 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
Verlustleistung (max) | 339W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2208 pF @ 500 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 18 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 93A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCT3022 |
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
SCT3030AL ROHM
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
ROHM TO-268
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
SCT3022AL ROHM
650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
CMC 83UH 30A 2LN TH AEC-Q200
CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
ROHM TO-247
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCT3022ALHRC11Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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